Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

По заявлению компании Samsung, недавно в серию запущено производство флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объёмом — 512 ГБ. Это первый накопитель формата eUFS с таким большим объёмом памяти. Технологический гигант заверил, что новинка будет использована в смартфонах и планшетах следующего поколения.

В конструкции флеш-памяти использованы восемь 64-слойных чипов V-NAND на 512 ГБ с контроллером, размещённые в корпусе eUFS, по размерам аналогичным накопителю с объёмом 256 ГБ. Считывается информация с накопителя со скоростью 860 МБ/с, а запись осуществляется со скоростью 255 МБ/с. Такая скорость позволит передавать 5 ГБ ролик за 6 секунд, что в 8 раз больше трансляции с обычной карты памяти microSD. Такой большой объём памяти позволит хранить в устройстве почти 130 видеофайлов в формате 4К, длительностью 10 мин. Это в 10 раз больше, чем на смартфонах с 64 ГБ основной памяти.

В планы компании Samsung входит расширение производства накопителей как на 512 ГБ, так и на 256 ГБ. Новые флеш-накопители, предназначенные для следующих серий смартфонов, вероятнее всего и будут представлены в модели Galaxy S9, который получит экран в 5.77 дюймов и новый топовый чип Snapdragon 845. В то же время до сих пор Samsung не удостаивал свои смартфоны большим объёмом встроенной памяти. Модели Galaxy S8 и Galaxy S8+ получили только 64- и 128-гигабайтные накопители, а Galaxy Note 8 на 256 ГБ официально есть в продаже только в в некоторых странах.

Источник: Samsung